解析硅光電二管的主要參數(shù)
　　硅光電二管的特點(diǎn)是響應(yīng)速度快，暗電流低，結(jié)電容小，靈敏度高，陶瓷無(wú)鉛封裝。典型應(yīng)用有復(fù)印機(jī)，光電開(kāi)關(guān)，光照度計(jì)，汽車(chē)傳感器，照相機(jī)自動(dòng)曝光等。
　　硅光電二管的主要參數(shù)及定義具體如下：
　　1.硅光電二管的靈敏度為入射到光敏面上輻射量的變化引起電流變化與輻射量變化之比。電流靈敏度與入射輻射波長(zhǎng)有關(guān)。
　　2.硅光電二管的電流靈敏度是其峰值響應(yīng)波長(zhǎng)的電流靈敏度。硅光電二管的電流靈敏度與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線稱(chēng)為光譜響應(yīng)。
　　3.硅光電二管的光譜響應(yīng)是以等功率的不同單色輻射波長(zhǎng)的光作用于硅光電二管時(shí)，其電流靈敏度與波長(zhǎng)的關(guān)系稱(chēng)為其光譜響應(yīng)。
　　4.硅光電二管的電流產(chǎn)生要經(jīng)過(guò)三個(gè)過(guò)程：在PN結(jié)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生載流子渡越結(jié)區(qū)的時(shí)間，稱(chēng)為漂移時(shí)間記為τdr；在PN結(jié)區(qū)外產(chǎn)生的光生載流子擴(kuò)散到PN結(jié)區(qū)內(nèi)所需要的時(shí)間，稱(chēng)為擴(kuò)散時(shí)間記為τp；由PN結(jié)電容Cj和管芯電阻Ri及負(fù)載電阻RL構(gòu)成的RC延遲時(shí)間τRC。